膜厚可控性和重復性好
控制靶電流可以控制膜厚
通過濺射時間控制膜厚

薄膜與基片的附著力強
高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，形成一層偽擴散層
基片在成膜過程中始終在等離子區(qū)中被清洗和激活，清除了附著力不強的濺射原子，凈化且激活基片表面。

可以制備特殊材料的薄膜
可濺射幾乎所有的固體（包括粒狀、粉狀的物質(zhì)），不受熔點的限制。
使用不同材料同時濺射制備混合膜、化合膜。
可制備氧化物絕緣膜和組分均勻的合金膜。
可通入反應氣體，采用反應濺射方法制備與靶材*不同的新的物質(zhì)膜。如用硅靶制作二氧化硅絕緣膜；用鈦靶，充入氮氣和氬氣，制備氮化鈦仿金膜。

膜層純度高
沒有蒸發(fā)法制膜裝置中的坩堝構(gòu)件，濺射膜層不會混入坩堝加熱器材料的成分。

缺點：成膜速度比蒸發(fā)鍍膜低、基片溫升高、易受雜質(zhì)氣體影響、裝置結(jié)構(gòu)復雜。